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SK하이닉스가 용인 반도체 클러스터의 1기 반도체 생산시설, 팹 완공을 위해 21조 원대 추가 투자를 결정했습니다.
SK하이닉스는 오늘(25일) 이사회 의결을 통해 용인 반도체 클러스터 1기 팹과 클린룸 페이즈 2∼6기 건설에 21조6천80억 원 규모의 투자를 결정했다고 공시했습니다.
SK하이닉스는 앞서 지난 2024년 7월 1기 팹과 클러스터 초기 운영에 필요한 시설을 짓기 위해 9조4천억 원의 투자를 결정한 바 있습니다.
여기에 21조 원 이상의 추가 투자가 결정되면서 모두 팹 4기 건설이 예정된 용인클러스터에서 1기 팹 건설에만 31조 원 넘는 돈이 투입됩니다.
앞서 SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터 내 197만 제곱미터 규모 부지에 최첨단 반도체 생산시설 4기 건설을 확정했고, 이 가운데 1기 팹은 내년 준공이 예정돼 있습니다.
YTN 박기완 (parkkw0616@ytn.co.kr)
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SK하이닉스는 앞서 지난 2024년 7월 1기 팹과 클러스터 초기 운영에 필요한 시설을 짓기 위해 9조4천억 원의 투자를 결정한 바 있습니다.
여기에 21조 원 이상의 추가 투자가 결정되면서 모두 팹 4기 건설이 예정된 용인클러스터에서 1기 팹 건설에만 31조 원 넘는 돈이 투입됩니다.
앞서 SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터 내 197만 제곱미터 규모 부지에 최첨단 반도체 생산시설 4기 건설을 확정했고, 이 가운데 1기 팹은 내년 준공이 예정돼 있습니다.
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