중 창신메모리 "4F²기반 6세대 D램 시제품 검증 완료...점진적 양산"

삼성전자·SK하이닉스 주도의 D램 메모리 시장에 도전 중인 중국업체 창신메모리(CXMT)가 최근 관심을 모은 '4F²'(포에프스퀘어) 아키텍처와 관련해, 세부 진전 사항을 공개했습니다.

펑파이·글로벌타임스 등 중국 매체에 따르면 CXMT는 지난달 30일 3분기 실적 발표 및 성명을 통해 4F²에 기반한 6세대 D램 공정 플랫폼의 엔지니어링 샘플(ES) 검증을 마쳤다고 처음으로 밝혔습니다.

엔지니어링 샘플은 제품 출시 전 테스트를 위해 제조자개발생산(ODM) 업체 등에 대여하는 시제품을 가리키며, 업계 관행상 이에 대한 검증 완료는 상업화에 주요 단계로 받아들여집니다.

CXMT 측은 검증 성공은 실제 웨이퍼에서 플랫폼의 핵심 성능 목표를 달성했다는 의미라며, 고객사 측 검증을 거쳐 양산으로 나아갈 수 있다고 설명했습니다.

CXMT는 자신들이 이러한 검증을 마친 최초 업체이며, 개발이 순조롭게 진행되면 4F²기반 제품을 세계 최초로 시장에 내놓게 될 것이라고 주장했습니다.

CXMT 측은 "올해 말 4F² 아키텍처를 사용한 첫 서버용 메모리 제품 'DDR5 RDIMM' 샘플을 (고객사에) 보낼 수 있을 것"이라며 "서버 등 부가가치가 높고 집적도 요구가 큰 제품에 우선 적용한 뒤 점차 다른 제품군으로 확대할 것"이라고 밝혔습니다.

이어 "양산은 고객사의 검증 진행 상황과 시장 수요에 따라 점진적으로 추진할 것"이라며 "객관적으로 봤을 때 신제품은 중장기적 경쟁력 구축과 더 관련 있으며 단기적으로 현재의 이익으로 전부 전환될 수는 없다"고 말했습니다.

앞서 CXMT 차오칸위 총재는 지난달 한 행사에서 연말까지 4F²를 이용한 DDR5 RDIMM을 내놓을 계획이라고 밝힌 바 있는데, 이 때문에 글로벌 반도체주 주가가 하락했다는 일각의 해석이 나올 정도로 주목받은 바 있습니다.

웨이퍼 제조 공정에서 포토리소그래피 기술로 구현할 수 있는 최소 선폭(간격)을 'F'라고 부르는데, 4F²은 메모리 1개 단위의 크기가 'F 제곱의 4배'라는 의미입니다.

현재 D램 주류 아키텍처는 6F²인데, 6F²에서 4F²로 발전하면서 단위 면적 내 트랜지스터 숫자는 늘고 메모리 집적도는 높아집니다.

삼성전자·SK하이닉스가 메모리 집적도 향상을 위해 이러한 기술을 추구하고 있는데, SK하이닉스는 최근 실적 발표에서 양산 안정성과 원가 경쟁력이 검증된 6F² 플랫폼을 최대한 활용하되, 향후 4F²로 전환하기 위한 기술 개발도 병행한다는 방침을 밝혔습니다.

YTN 김잔디 (jandi@ytn.co.kr)