'반도체 핵심기술 중국 유출' 삼성전자 전직 연구원 1심서 징역 7년

삼성전자 핵심 반도체 기술을 중국에 유출한 혐의로 재판에 넘겨진 전직 연구원이 1심에서 징역형을 선고받았습니다.

서울중앙지법 형사합의28부는 오늘(22일) 산업기술보호법 위반 등 혐의로 구속기소된 전 모 씨에 대해 징역 7년을 선고했습니다.

재판부는 유출된 기술이 국가 핵심기술에 해당하고 유출 과정에 전씨가 공모했다는 점이 인정된다고 이유를 밝혔습니다.

또 우리나라 대기업이 거액을 들여 개발한 핵심 정보를 취득해 외국에 사용하게 했다며 기업은 물론 대한민국에까지 손실을 입혔기에 엄한 처벌을 할 수밖에 없다고 지적했습니다.

전 씨는 전직 삼성전자 부장 김 모 씨와 함께 중국 반도체 업체로 이직하는 과정에서 삼성전자의 D램 반도체 공정 기술을 유출한 혐의로 지난해 5월 구속기소됐습니다.

전 씨는 해당 기술을 넘기는 대가로 계약 인센티브 3억 원과 스톡옵션 3억 원 등을 포함해 6년간 29억 원을 받은 것으로 조사됐습니다.


YTN 박광렬 (parkkr0824@ytn.co.kr)