검찰, '반도체 핵심기술 유출' 삼성전자 전 임원 등 10명 기소

삼성전자가 세계 최초로 개발한 반도체 핵심기술을 중국으로 유출해 5조 원 상당 손해를 끼친 전 직원들이 재판에 넘겨졌습니다.

서울중앙지검은 오늘(23일) 산업기술보호법 위반 등 혐의로 삼성전자 부장 출신 50대 A 씨 등 5명을 구속기소 하고, 임원 출신 등 5명을 불구속 기소했다고 밝혔습니다.

중국 반도체회사 창신메모리에 1기 개발실장으로 영입된 A 씨는 지난 2016년 9월, 같은 회사로 이직한 삼성전자 핵심 연구원이 자필로 베껴 적어 유출한 공정정보 자료를 확보했습니다.

이를 통해 창신메모리는 지난 2018년 2월, 삼성전자 임원 출신 B 씨를 2기 개발실장으로 영입해 본격적인 개발을 진행했고, 재작년 중국 최초이자 세계에서 네 번째로 10나노대 D램 양산에 성공했습니다.

이 과정에서 A 씨 등은 주기적으로 사무실을 변경하고 출국금지나 체포 시 공유할 암호를 만들어 전파하는 등 수사에 대비했던 거로 파악됐습니다.

검찰은 지난해 1월, A 씨에 대한 반도체 장비기술 유출 사건을 수사하던 중 A 씨가 삼성전자의 국가핵심기술을 유출하고 취득한 정황을 확인해 수사에 나섰습니다.

이후 필체 감정을 통해 자료 유출자를 특정하고 인터폴 적색수배를 요청했고, 이번 달 공정을 담당한 파트별 책임자들 5명을 불구속 기소하며 수사를 마무리했습니다.

검찰은 범행을 통해 지난해 삼성전자 매출액 감소만 5조 원 상당으로, 향후 국가 경제에 발생하는 피해액은 최소 수십조 원에 달할 것으로 추정했습니다.



YTN 안동준 (eastjun@ytn.co.kr)