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    '꿈의 기억소자' 테라비트급 F램 핵심기술 개발
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    [앵커멘트]

    동전만한 크기에 CD 1,500 장 이상의 정보를 저장할 수 있는 차세대 테라비트급 F램 구현을 위한 새로운 기술이 한국과 독일 공동 연구팀에 의해 개발됐습니다.

    이정우 기자가 보도합니다.

    [리포트]

    현재 사용하는 D램과 거의 같은 구조이지만 전원이 꺼져도 데이터를 보관할 수 있는 '꿈의 기억소자'로 불리는 차세대 테라비트급 반도체 F램.

    전하를 저장하는 커패시터와 강유전체를 사용하기 때문인데, 세계 각국에서 경쟁적으로 비휘발성 메모리 이른바, F램 반도체 개발에 나서고 있습니다.

    이런 가운데 전력 소모량까지 획기적으로 줄일 수 있는 F램 구현 신기술이 한국과 독일 공동 연구로 개발됐습니다.

    한국표준과학연구원 이 우 박사와 포스텍 백성기 교수팀은 독일과 공동으로, 다공성 산화알루미늄을 틀로 사용해 강유전체인 '납-지르코늄-티타늄 복합산화물'의 나노점을 대면적 기판 위에 정렬한 초고밀도 F램 구현에 성공했습니다.

    [인터뷰:이우, 표준과학연구원 나노측정센터]
    "커패시터를 소형화하기 위한 문제점을 해결한 새로운 기술입니다."

    나노미터 크기의 구멍이 벌집 모양으로 배열되어 있는 다공성 산화알루미늄이 열에 대해 안정성이 뛰어나다는 점에 착안해 나노 커패시터를 세계 최초로 구현한 것입니다.

    이 기술은 기존 기술보다 공정시간이 짧고, 독성이 없는 데다 수백만 번 이상 읽고 쓰기 동작을 수행한 뒤 급격히 정보가 손실되는 '전기적 피로' 현상도 해결할 수 있을 것으로 기대됩니다.

    고저장밀도 F램이 상용화되면 앞으로 전원 버튼을 누른 뒤 부팅시간 없이 곧바로 사용할 수 있는 컴퓨터 개발도 앞당겨질 것으로 보입니다.

    [인터뷰:이우, 표준과학연구원 나노측정센터]
    "차세대 메모리 소자에 다양하게 활용될 '다강체' 나노점 물질에 적용할 수 있는 연구가 진행되고 있습니다."

    고저장밀도 F램 개발의 선행과제로 지적돼 온 커패시터 소형화 문제를 해결한 이 연구 결과는 세계적 과학저널인 네이처 자매지 '네이처 나노테크놀로지' 온라인판에 소개됐습니다.

    YTN 이정우[ljwwow@ytn.co.kr]입니다.